БЫЧКО ГАЛИНА ВЛАДИМИРОВНА

  Изобретение относится к составам бесщелочных диэлектрических стекол с низким коэффициентом линейного термического расширения и предназначено для применения в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала для получения тонкопленочных защитных стеклянных покрытий на кремниевых полупроводниковых устройствах (тиристоры, диоды, транзисторы). С целью повышения вод...

  Изобретение относится к свинцовоборосиликатным бесщелочным диэлектрическим стеклам и предназначено для применения в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала для защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов от неблагоприятных внешних воздействий среды. С целью повышения коррозионной устойчивости тонкопленомных стеклопокрытий в воде и водн...

  Изобретение относится к бесщелочным диэлектрическим стеклам и может найти применение в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала для защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов от неблагоприятных воздействий среды. С целью повышения коррозионной устойчивости покрытий в водно-аммиачной среде стекло содержит компоненты в следующих соотноше...