Мордюкович В.Н.

 Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 101016 см-2, а суммарная доза 2 - 61017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлек...