Способ изготовления кремниевых многослойных структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур

Реферат

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 1010¹⁶ см^-2, а суммарная доза 2 - 610¹⁷ см^-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 1010¹⁶ см^-2 и отжиг.