Будянский А.М.

  Изобретение относится к области получения пучков ионов и может быть использовано для обработки материалов в вакууме при производстве изделий микроэлектроники. Целью изобретения является повышение экономичности источника путем уменьшения потерь ионов, вносимых электродами-сетками ионно-оптической системы (ИОС), повышение стабильности параметров, срока службы источника и чистоты обработки...

 Изобретение относится к вакуумно-плазменной технологии и может быть использовано для сухого травления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и пленок в вакууме, в частности при производстве полупроводниковых и изделий микроэлектроники. Целью изобретения является увеличение скорости травления и повышение качества обработки путем уменьшения загрязнения поверхности обр...

 Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового...

 Способ относится к области плазменной обработки в микроэлектронике и может быть использован в фотолитографии. Цель изобретения повышение выхода годной продукции путем сокращения числа пробоев в тонких диэлектрических слоях обрабатываемых образцов. В способе плазмохимического удаления фоторезиста проводят непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабоче...