Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин

Реферат

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых установлены трубы активационной камеры, при этом трубы размещены симметрично относительно центра подложкодержателя, причем электрод, обращенный к патрубку напуска газа, заземлен, электрод, обращенный к подложкодержателю, подключен к ВЧ-генератору и расположен на расстоянии l от подложкодержателя, определяемом из соотношения 2,1 D_рl21 D_р, а расстояние h между электродами находится в пределах 3h2,1 D_р, мм, где D_р - внутренний диаметр труб, мм.