Черноусов М.С.

 Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового...

 Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разр...

 Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фото...