Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин
Патент 1760946
Авторы
Классы МПК
- H05H1 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)
- H01L21/302 - для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка
Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин
Реферат
Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида, охватывающего индуктор, по которому пропускают ток I, при этом число ампер-витков соленоида выбирают в соответствии с соотношением где P - давление газа в реакционной камере, Па; K1=102 Aкг-1с2; l - длина индуктора, м; D - внешний диаметр индуктора, м; n - число витков соленоида.