Лебедев Э.А.

 Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатр...

 Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пр...

 Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового...

 Способ относится к области плазменной обработки в микроэлектронике и может быть использован в фотолитографии. Цель изобретения повышение выхода годной продукции путем сокращения числа пробоев в тонких диэлектрических слоях обрабатываемых образцов. В способе плазмохимического удаления фоторезиста проводят непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабоче...

 Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разр...

 Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фото...

  Использование: в микроэлектронике, в частности в устройствах для плазмохимической обработки (травления) обратной стороны полупроводниковой пластины с одновременной защитой лицевой. Сущность изобретения: в устройстве для травления предусмотрена система возбуждения газового разряда, которая выполнена в виде параллельных электродов с выступающей центральной частью, диаметр которой соответст...