Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин

Реферат

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат при сохранении скорости и качества удаления фоторезиста, в основании разрядной камеры выполнен конусный раструб, обращенный к подложкодержателю, с радиусом, составляющим 0,8-1R радиуса обрабатываемой пластины, на расстоянии h от подложкодержателя, определяемом неравенством 0,08Rh0,4R, причем подложкодержатель расположен на расстоянии L от катушки индуктивности, которое выбирается из условия 1,6RL10,0R, а радиус разрядной камеры составляет (0,4-0,8)R.