Кабаков М.М.

 Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с...

 Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбор...

 Изобретение относится к технологии изготовления электронной техники, в частности к технологии осаждения пленки двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано для создания диэлектрических слоев при производстве сверхбольших интегральных схем. Сущность: изобретение позволяет повысить качество пленки путем снижения дефектности и повышения электрической прочности. Для этого в реа...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии осаждения пленок двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано при производстве сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: перед осаждением пленки проводят продувку реактора закисью азота при давлении 40 - 266 Па в течение 3 - 20 мин. После осаждения проводят термообработку пленок в кислороде. 1 та...