PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Григорьев К.В.

Изобретатель Григорьев К.В. является автором следующих патентов:

Магнитный материал

Магнитный материал

  pro 28 )99 Класс 2I g, 31 АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ .г магнитного материала K авторскому свидетельству К. В. Григерьевв, заявленному 8 декабря 1930 года (заяв.-свид; ¹ 79965). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 декабря 1932 года. Предмет изобретения.,- Тйп.,Искра" . К недостаткам применяемых в настоящее время постоянных магнитов следует от...

28599

Прибор для исследования анизотропии листов ферромагнитных материалов

Прибор для исследования анизотропии листов ферромагнитных материалов

  , / Класс 42k, 29: " :» ...,,. Л 4943,3 ABT0PGHOE СВИДЕТЕЛЬСТВО HA ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСЙНИЕ прибора для исследования анизотропии листов ферромагнитных материалов. К авторскому свидетельству К. В. Григорова, заявленному 19 декабря 1935 года (спр. о перв. № 182567). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 августа 1936 года.Одной из причин брака при штамповке изделий из кат...

49433

Способ закрепления осадка магнитной суспензии при дефектоскопировании изделий по методу намагничивания

Способ закрепления осадка магнитной суспензии при дефектоскопировании изделий по методу намагничивания

  Класс 42k, 20вз Ч 55998 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зарегистрировано в Бюро последую изобретений Госплана при СНК СССР К. В. Григорьев. Способ закрепления осадка магнитной суспензии при дефектоскопировании изделий по методу намагничивания. Заявлено 8 мая 1938 года в НКСМаш за М 1бб24. Олубликоваио 30 ноября 1939 года. Для выявления в стальных изделиях повер...

55998

Ткацкий станок тяжелого типа для выработки плотных широких тканей

Ткацкий станок тяжелого типа для выработки плотных широких тканей

  914-.6 Класс 86с, 17, СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Г. Т. Кустарев, В. П. Чаплыгин, П. Д. Кузьмичев. K. В. Григорьев. EI. и. Кудряшев и В. К. Калм(яков ТКАЦКИ1Ъ СТАНОК ТЯЖЕЛОГО ТИПА ДЛЯ ИЫРАВОТК11 ПЛОТНЫХ ШИРОКИХ Т КАП Гсй Заявлено 18 апреля 1950 г. за а 416658 в Гостехнику СССР Предметом пзооретсния является ткацкий станок тяж(лого типа для выр...

91456

Широкоугольный анаморфотный объектив

Широкоугольный анаморфотный объектив

  068 Класс 42h, баа СССР ОПИСЛНИК ИЗОЬ! КтКНИя К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ПогЗггггснсгя гругггга Л0 170 Е. Н. Гончаренко, В. Н. Веснин и К. В, Григорьев Ш ИРОКОУГОЛЬНЬ! Й АНАМОРФОТНЬ!Й ОБЪЕКТИВ Заявлено 23 декабря 1959 г. за 4 648162/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бголлетене изобретений» . Ъ 4 за 1961 г. Существу...

136068


Волокнистый светосборник

Волокнистый светосборник

  Ло 145617 Класс 21а, 32о4 21а, 34oi ссс ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная руппа М 86 К. В. Григорьев, Г. А, Смирнов и Г. И. Сучилииа ВОЛОКНИСТЫЙ СВЕТОСБОРНИК Заявлено 17 апреля 1961 г. за № 726826/26 в Комитет по делам изобретений и откргятий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 6 за 1962 г. Известные светосборники для пло...

145617

Устройство для отбора света в плоскостном светооптическом блоке фототелеграфного аппарата с выделением растра элемента на оригинале или изображении

Устройство для отбора света в плоскостном светооптическом блоке фототелеграфного аппарата с выделением растра элемента на оригинале или изображении

  Класс 21а, 25о1 ГС ",".1:Х1!1 g СССР lE ., ;;,:;, .. .;„П ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 8б К. В. Григорьев, Л. М. Кузнецов и Г. А. Смирнов УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТБОРА СВЕТА В ПЛОСКОСТНОМ СВЕТООПТИЧЕСКОМ БЛОКЕ ФОТОТЕЛЕГРАФНОГО АППАРАТА С ВЫДЕЛЕНИЕМ РАСТРА ЭЛЕМЕНТА НА ОРИГИНАЛЕ ИЛИ ИЗ О БРА)К Е Н И И Заявлено 26 мая 1961 г. за № 732164/26 в Комитет...

150863

Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках после нейтронно-трансмутационного легирования

Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках после нейтронно-трансмутационного легирования

 Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е. стабильного дочернего изотопа), образующейся в результате облучения полупроводникового материала тепловыми нейтронами в ядерном реакторе с последующим радиоактивным распадом...

2208666