ШУЛЬГА МИХАИЛ ИВАНОВИЧ

  Изобретение относится к технике легирования методом диффузии полупроводниковых пластин и обеспечивает повышение выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур. Устройство содержит камеру из графита, в нижней и верхней частях которой расположены источники с лигатурой. Между источниками установлен пакет полупроводниковых пластин. Пластины размещены парами, разделе...