Устройство для диффузионного легирования

Устройство для диффузионного легирования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике легирования методом диффузии полупроводниковых пластин и обеспечивает повышение выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур. Устройство содержит камеру из графита, в нижней и верхней частях которой расположены источники с лигатурой. Между источниками установлен пакет полупроводниковых пластин. Пластины размещены парами, разделенными графитовыми прокладками. Между пакетом пластин и источниками с лигатурой имеются экраны из кварца, алунда или арсенида галлия. Выход годных структур повышен на 3%. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 31/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬ!ТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (2! ) 4381857/23-26 (22) 07.01.88 (46) 30.08,90. Вюл. !! - 32 (71) Научно-исследовательский и проектно-технологический институт систем планирования и управления электротехнической промышленности

Производственного объединения "Таллиннский электротехнический завод им. М.И, Калининап (72) Г,А. Ашкинази, В.Е. Войтович, Л.Я. Золотаревский, М.П.Потешкина и М,И. Шульга (53) 621.315,592 (088.8) (56) Патент ФРГ Y- 2642813, кл. В 01 J 17/34, 1978.

Изобретение относится к производ-. ству полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия, а именно приборов, р-и-переход которых создается методом диффузии, и может быть использовано в полупроводниковой и электронной промышленности.

Цель изобретения — повышение выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур.

На чертеже изображено устройство, продольный разрез.

Устройство содержит камеру с крышкой 2, .внутри которой размещены источники с лигатурой, выполненные в форме двух дисков 3 из графита, „„SU„„1588813 А 1

2 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО

ЛЕ ГИРО ВАНИЯ (57) Изобретение относится к технике легирования методом диффузии полупроводниковых пластин и обеспечивает повышение выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур. Устройство содержит камеру из графита, в нижней и верхней частях которой расположены источники с лигатурой, Между источником установлен пакет полупроводниковых пластин. Пластины размещены парами, разделенными графитовыми прокладками. Между пакетом пластин и источниками с лигатурой имеются экраны из кварца, алунда или арсенида галлия.

Я

Выхоц годных структур повышен на

ЗХ, 1 з.п. й-лы, 1 ил. в зазоре между которыми размещена, лигатура 4. В камере 1 расположены защитные экраны 5, выполненные из кварца, алунда или арсенида галлия.

Между экранами 5 размещены попарно полупроводниковые пластины 6 нерабочими стрронами одна к другой, Между каждой парой пластин 6 установлены прокладки 7 из графита. Камера 1 выполнена из графита с плотностью

1,72-2,05 r/!=M .

Устройство работает следующим образом.

Собранную камеру размещают в кварцевом реакторе, имеющем нагреватель

-и систему подачи и вывода инертного

1588813

ФОрмула изобретения

1. Устройство для диффузионного левирования, содержащее камеру с

Составитель В. Захаров-Черенков

Редактор М. Петрова Texpeq Л.Олийнык Корректор 0, Кравцова

Заказ 2518 Тираж 344 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета ло изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35,, Раушская иаб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 газа (не показан) . Легирование проводят путем диффузии легирующего вещества. Для этого камеру 1 нагревают до 600-1000 С, В источниках легирования начинает испаряться лигатура 4 - диффундирующее вещество, которым насыщаются графитовые детали: стенки камеры 1, диски 3 и прокладки

7. Эти элементы конструкции в дальнейшем являются источником диффундирующего вещества. Экраны 5 из кварца арсенида галлия или алунда препятству@т прямому проникновению паров диффуйдирующего вещества к поверхности пластин 6.

Предлагаемое изобретение позволяет повысить на ЗЕ выход годных структур. крышкой, внутри которой размещен паКет полупроводниковых пластин, по торцам которого расположены защитные экраны, и источник с лигатурой, установленный на одном конце камеры, о т— л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур, устройство снабжено дополнительным источником, размещенным на другом конце камеры, каждый источник выполнен в форме двух дисков из графита, установленных с зазором для размещения лигатуры, пластины расположены попарно нерабочими сторонами одна к другой, каждая пара пластин разделена прокладками из графита, а камера выполнена из графита с плотностью 1,72-2,05 r/cM, 2, Устройство по п.,1, о т л и ч аю щ е е с я тем, что экраны выполне.— ны из кварца, арсенида галлия или алунда.