Яссен М.Л.
Изобретатель Яссен М.Л. является автором следующих патентов:

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников
Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью...
1597032
Способ для лазерно-стимулированного травления фосфида индия
Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л: Плавиковая кислота - 0,045 - 18 Бромат калия - 0,0008 - 0,...
1715136