Чигирь Г.Г.

 Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью об...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления кристаллов ИМС на этапе формирования защитного пассивирующего покрытия. Способ контроля коррозионной стойкости пленочных материалов сокращает время контроля, приближает условия контроля к условиям эксплуатации металлизированных пленок кристаллов интегральных микросхем с защитным пасс...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при контроле дефектов слоев кремниевых структур. Предлагаемый способ заключается в том, что на диэлектрический слой, нанесенный на контролируемый нижний слой и вскрытый путем удаления верхних слоев структуры, дополнительно наносят планаризующий диэлектрический слой, коэффициент преломления которого составляет 0,8-1,2 от ко...

 Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся...