Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика

Реферат

 

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a _i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию

a_i=(1+k)·a _i-1, a_максb,

b=h/tg_мин,

где k - коэффициент пропорциональности, определяемый 0,05k0,2;

a_i - расстояние между i-й и (i+1)-й дорожками;

a_i-1 - расстояние между i-й и (i-1)-й дорожками;

h - высота микрорельефа;

_мин - минимальный угол оплавления, подлежащий контролю;

a_макс - расстояние между последней и предпоследней дорожками.