КАРЕПОВ БОРИС ГЕННАДЬЕВИЧ

  Изобретение относится к получению монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов, обеспечивает сокращение времени процесса. Кристаллы, полученные из расплава смеси исходных оксидов, выдерживают при 250- 380°С в кислородно-озонной смеси, содержащей 1-5 об.% озоНа, в течение 1-2 ч. Обработанные кристаллы УВа2СизО -5 и В г5г2СаСи2О2 имели темпе...