PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ХВАСТУХИН МИХАИЛ ЮРЬЕВИЧ

Изобретатель ХВАСТУХИН МИХАИЛ ЮРЬЕВИЧ является автором следующих патентов:

Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре

Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 465б221/09 (22) 27.02,89 (45) 30.10.91. Бюл, М 40 (71) Киевский государственный университет им. Т,Г.Шевченко (72) Н.И.Ляшенко, B.M.Òàëàëàåâñêèé, M,!Î.ÕBàcòóõèí, Л.В.Чевнюк и С.В.Яковлев (53) б21,372.85(088.8) (5б)...

1688319

Термостабильный вкладыш на эпитаксиальной ферритовой структуре для свч-устройств

Термостабильный вкладыш на эпитаксиальной ферритовой структуре для свч-устройств

  Использование: в радиотехнической сверхвысокочастотных узлах, таких, как линии задержки, фильтры, резонаторы и т.д Сущность изобретения: пленка иттриевого феррограната размещена на поверхности диэлектрической подложки из галлий-гадо линиевого граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расшире...

1762350