Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре

Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 465б221/09 (22) 27.02,89 (45) 30.10.91. Бюл, М 40 (71) Киевский государственный университет им. Т,Г.Шевченко (72) Н.И.Ляшенко, B.M.Òàëàëàåâñêèé, M,!Î.ÕBàcòóõèí, Л.В.Чевнюк и С.В.Яковлев (53) б21,372.85(088.8) (5б) Кудинов Е.В., Берегов А. С„Е рещен ко

И, l l. — Электронная техника, серия Электроника СВЧ, 1987, вып. 1 (385), с, 19-21.

Патент США

K 4263374, кл, С 11 С 11/2, опубл. 1981. (54) СВЧ-gflElVlcHT HA ЭПИТАКС,1AJlb

НОЙ чэЕРРИТОВОЙ СТРУКТУРЕ (57) Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для создания

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для.создания термостабильных линий задержки, фильтров и резонаторов на магнитостатических волнах.

Целью изобретения является повышение термостабильности за счет создания в пленке иттриевого феррограната напряжения растяжения при температуре выше номинальной и напряжения сжатия пр» температуре ниже номинальной.

На чертеже представлен СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре.

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре содержит подложку 1, на одной стороне которой размещена пленка 2 иттриевого феррограната, а на другой ее стороне закреплена термобиметаллическая

„„. Ж„„1688319 А1 (я)5 Н 01 P 1/30, 1/215, 9/00 термостабильных линий задержки, фильтров и резонаторов на магни;остатических волнах. Цель изобретения — повышение термостабильности, СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре содержит подложку 1, на одной стороне которой размещена пленка 2 иттриевого феррограната, а на другой — термобиметаллическая пластина 3. При изменении температуры изменения магнитных полей в пленке 2 (размагничивающего, кристаллографической маrнитной анизотропии, одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями границы подложка 1 — пленка 2) компенсируются дополнительным полем одноосной анизотропии, возникающим в пленке 2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки

1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.

При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1— пленка 2. Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2: размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей

1688319

Формула изобретения

Составитель Н.Савченко

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор M.Êó÷åðíâàÿ

Редактор Н.Коляда

Заказ 3713 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 частоты магнитостатической волны, распространяющейся в пленке 2. Однако, при изменении температуры термобиметаллическая пластина 3 изгибается и вызывает изгиб закрепленной на ней эпитаксиальной ферритовой структуры — подложки 1 и пленки 2. В результате за счет выбора температурного коэффициента расширения термобимвталлической пластины 3 со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой ее стороны в пленке 2 при повышении температуры возникает механическое напряжение растяжения, а при снижении температуры ниже номинальной — напряжение сжатия, создающие в пленке 2 дополнительное поле одноосной анизотропии, компенсирующее температурное смещение рабочей частоты, СВ4-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре, содержащий подложку, 5 на одной стороне которой размещена пленка иттриевого феррограната, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения термостабильности за счет создания в пленке иттриевого феррограната напряжения

10 растяжения при температуре выше номинальной и напряжения сжатия при температуре ниже номинальной, в него введена термобиметаллическая пластина, которая закреплена на другой стороне подложки и

15 температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки больше температурного коэффициента расширения другой стороны,