Родин Г.Ф.

 Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности раз...

 Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой...

 1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качест...

 Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных...

 1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качеств...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Использование изобретения повышает качество межэлементных соединений за счет уменьшения величины нарушенного слоя подложки. Материал контактно - барьерного подслоя для межэлементных соединений интегральных схем включает кремний и алюминий при следующем соотношении ингр...

 Использование: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении интегральных микросхем. Сущность: в плазмообразующую смесь для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении СБИС, включающую гексафторид серы и азот, дополнительно вводят кислород и при след...

 Использование: микроэлектроника, формирование микрорисунка в рабочих слоях. Сущность изобретения: в способе сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур обработку слоя проводят в плазме ВЧ-разряда, в процессе обработки проводят контроль травления. Фиксируют момент вскрытия поверхности структуры по началу периода изменения первой производной интенсивности линии спектра...

 Изобретение относится к электронной технике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества межэлементных соединений за счет улучшения контакта между уровнями, снижение вероятности коротких замыканий. Межэлементные соединения интегральных схем включают контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в кремниев...

 Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-танзисторах. Цель изобретения - увеличение эффективности поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане за счет развития рельефа поверхности. Сущность изобретения: для создания обкладки конденсатора из поликристаллического кремния на поверхности полупроводниковой подложки создают диэлектрический сл...

 Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-транзисторах. Цель - повышение качества конденсатора за счет увеличения эффективной площади поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане. Сущность изобретения: при изготовлении обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем на поверхность полупроводниковой пластины со сфор...