Базыленко М.В.

 Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности раз...

 Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой...

 Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных...

 Использование: микроэлектроника, производство СБИС. Сущность изобретения: обработку пластин проводят в двух реакционных камерах, а прибор спектрального контроля подключают к первой или второй камере в зависимости от значения выражения (tст + tз) (100 - R)V/100h + 2R/100 + R, где V - скорость травления проводящего слоя, нм/с; h - толщина проводящего слоя, нм;tст - время стабилизации разряд...

 Использование: микроэлектроника, формирование микрорисунка в рабочих слоях. Сущность изобретения: в способе сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур обработку слоя проводят в плазме ВЧ-разряда, в процессе обработки проводят контроль травления. Фиксируют момент вскрытия поверхности структуры по началу периода изменения первой производной интенсивности линии спектра...