ОСИПОВА ЕКАТЕРИНА ПЕТРОВНА

  Изобретение относится к удалению покрытий , в частности к поверхности полупроводниковых кристаллов. Изобретение позволяет повысить скорость удаления покрытий за счет осуществления способа удаления путем обработки изделий с покрытием в водном растворе смывки при , в качестве которой используют кислотную смывку состава, мае.ч.: хромовый ангидрид 1,5-2,5; азотная кислота (уд. вес. 1...