Способ удаления защитных полимерных покрытий

Способ удаления защитных полимерных покрытий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к удалению покрытий , в частности к поверхности полупроводниковых кристаллов. Изобретение позволяет повысить скорость удаления покрытий за счет осуществления способа удаления путем обработки изделий с покрытием в водном растворе смывки при , в качестве которой используют кислотную смывку состава, мае.ч.: хромовый ангидрид 1,5-2,5; азотная кислота (уд. вес. 1,42 г/см У 4,0-7,0; серная кислота (уд.вес. 1,83 г/см 3) 120,0-180,0; вода 1,5-2,5. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s С 09 0 9/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4745529/05 (22) 04.08. 89 (46) 15,03.92. Бюл. ¹ 10 (71) Киевский научно-исследовательский институт микроприборов (72) Е.П.Осипова, В.Д.Жора, И,А.Тучинский и А, Г. Ше ревеня (53) 667,648.1(088,8) (56) Патент США № 3379645, кл. 252-100, опублик. 1968.

Патент США

¹ 4290819, кл. 134/3, опублик. 1981.

Изобретение относится к способам удаления защитных полимерных материалов (покрытий), нанесенных на поверхность полупроводникового кристалла, например, при проведении анализа отказов микросхем.

Целью изобретения является повышение скорости удаления покрытий.

Раствор неорганической кислотной смывки готовят следующим образом.

Взвешивают расчетное количество хромового ангидрида и растворяют его в расчетном количестве воды при помощи стеклянной палочки.

Затем в полученный раствор при перемешивании небольшими порциями добавляют соответствующие количества серной и азотной кислоты. В таблице представлены примеры, иллюстрирующие данный способ и данные по эффективности способа.

Анализируемые микросхемы были защищены различными полимерными материалами-лаками 159-191, .159-167; АД-9103, компаундами серии КЭН, при этом толщина.. Ж 1719417 А1 (54) СГ1ОСОБ УДАЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ

ПОЛИМЕРНЫХ ПОКРЫТИЙ (57) Изобретение относится к удалению покрытий, в частности к поверхности полупроводниковых кристаллов. Изобретение позволяет повысить скорость удаления покрытий за счет осуществления способа удаления путем обработки изделий с покрытием в водном растворе смывки при

70-80 С, в качестве которой используют кислотную смывку состава, мас.ч.: хромовый ангидрид 1 5 — 2,5; азотная кислота (уд, вес. 1,42 г/см 1 4,0 — 7,0; серная кислота (уд,вес, 1,83 г/см ) 120,0 — 180,0; вода 1,5-2,5, 1 табл. покрытия составляла от нескольких десят ков (для АД 9103 ИС) до нескольких сотен (для 159 — 191, 159 — 167,КЭН1, КЭН2, КЭНЗ) микрон. Лаки 159 — 191 и 159 — 167 представляют собой смесь коемнийорганического винилсодержащего каучука олигометилгидридметилсилоксана с катализатором-(П вЂ” 1 или АП вЂ” 1) и с различными наполнителями, например двуокисью титана, Лак АД вЂ” 9103

ИС является раствором полиамидокислоты в диметилформамиде, Компаунды серии

КЭН представляютсобой кремний — органический эластичный низкомолекулярный материал с наполнителем.

Микросхемы в соответствии с данным способом помещают в раствор и обрабатывают в соответствии с технологическими режимами, указанными в таблице, После обработки изделия промывают в проточной деионизированной воде не менее 2 мин.

Полноту удаления материалов и устойчивость кристаллов микросхем контролируют с помощью микроскопа ПМТ вЂ” 3 при 130" уве- .. личении.

1719417

Компоненты, мас.ч., технологические режимы и характеристики процесса

Показатель по примеру 5 6 Известный

Хромовый ангидрид

Азотная кислота (уд.вес

1,42 г/смз) 1,5

2,0

2,0

2,5

2,5 11

210

2,0

Вода

1,5 1,5

2,5

2,5

Серная кислота (уд.вес

1,83 г/смз)

Температура, с

2120

120

180

180

70

43 "82

Время обработки, мин

120

Полная

Полная Полная Полная Полная

Полная Частичная Без под- Подтравлитравли- ванйе А1 вания

Без подтравливания

Без под- Без под- Без под- Без подтравли- травли- травли- травливания вания . вания вания

Составитель Т.А. 5ровкина

Редактор Т.Самерханов Техред M.Moðãeíòàë Корректор С,Шевкун

Заказ 741 Тираж Подписное .

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 формула изобретения

Способ удаления защитных полимерных покрытий с поверхности полуп роводниковых кристаллов путем обработки их водным раствором смывки на основе неорганической кислоты при 70 — 80 С, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения скорости удаления покрытий. в качестве

Степень удаления полимерных материалов

Состояние поверхности под,ложки (межсоединения, кремний и др.) смывки используют водный раствор, включающий, мас,ч.:

Хромовый ангидрид 1,5-2,5

Азотная кислота (уд.вес. 1,42 г/смз)

5 4,0-7,0

Серная кислота (уд,вес. 1,83 гlсмз)

120,0 — 180,0

Вода 1,5-2,5