СИМАДА Тосиказу (JP)

 Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления. Предложены запоминающее устройство и способ его изготовления, при этом устройство содержит узел памяти, в который записывается заряд через конфигурацию туннельного перехода, имеющую профиль энергетической зоны, который содержит относительно широкий по размеру барьерный компонент с относи...