Радкевич А.В.

 Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся...

  1ЭИ3 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (57) ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 2509202/26 (22) 18.08.77 (46) 30.1293 Бюл. Ия 47-48 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристалпов Научно-производственного объединения "Монокристаллреактив" (72) Апипат ВЯ„Вакуленко ВЯ„. Горилец...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) jJ; ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) ЗЕЮМ/26 {22) 1506.83 {46) ЗО.1193 Bench 43-44 (72) Радкевич АВ.; Эйдепьман Л.Г„Львович ВА; ())) SU (lI) 16763 А! (Я) В 1 3 Проценко В.Г„Горипецкий В.И.; Неменов ВА (54) УСП ОЯСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛПОВ .. {5Л...

  Изобретение относятся к получению искусственных кристаллов и обеспечивает повышение выхода годных монокристаллов. Устройство содержит тигель для расплава с кольцевой емкостью в его верхней часта Емкость имеет с тиглем общую стенку с отверстием. Над емкостью размещен экран 8 виде шайбы, а в тигле расположен экран в форме полого цилиндра, установленного с зазором относительно дна П...

  Изобретение относится к обработке криааллов , применяемых, в частности: при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИКлазеров , сцинтилляционных детекторов, акустичесKV1X звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической , ядерной и оптико-механической промышленности . Целью изобретения является повышение произв...

  Изобретение относится к обработке твердых и хрупких материалов, в частности к устройствам для обработки монокристаллов, которые применяются в химической промышленности при порезке кристаллов , и позволяет улучшить качество поверхности резания кристаллов. Это достигается тем, что в устройство для обработки кристаллов дополнительно введены датчик параметров резания кристаллов, гене...

 Изобретение относится к области ядерной энергетики, касается, в частности, конструкции облучательных устройств для ядерных реакторов канального типа и может быть использовано для производства гамма-источников. Облучательное устройство ядерного реактора канального типа содержит подвеску с несущим основанием. На основании закреплены звенья. Звенья выполнены в виде цилиндров с двойными обеча...