Петрова В.З.

 1. Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления, включающий выращивание маскирующего слоя двуокиси кремния на пластине кремния, его травление, формирование тензорезисторов и присоединение выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и улучшения качества полупроводниковых датчиков, после формирования тензорезисторов на обратной стороне пластины кремния...

 Стекло для стеклокристаллического материала, включающее SiO2, Al2O3, Li2O, ZnO, K2O, P2O5, F, Cs2O, ZrO2, отличающееся тем, что, с целью снижения температуры оплавления и угла смачивания, а также повышения качества покрытий на коваре и кремнии, оно дополнительно содержит Yb2O3, Nd2O3, Gd2O3 при следующем соотношении компонентов, вес.%: SiO2 - 55 - 65 Al2O3 - 10 - 15 Li2O - 10 - 15 ZnO - 1...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных микросборок на металлических подложках. Цель изобретения - повышение качества подложек с покрытием из ситаллоцемента. Это достигается путем улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности с помощью термообработки гранулята стекла. Термообработку проводят при температуре, равн...

 Изобретение относится к технологии изготовления металлических изолированных подложек для узлов радиоаппаратуры, например для гибридных интегральных схем и коммутационных плат. Цепь изобретения - улучшение диэлектрических характеристик подложек и технологичности процесса. Сущность способа изготовления металлической подложки с диэлектрическим стеклянным покрытием, включающего предварительну...

 Использование: изобретение относится к электронной технике и позволяет изготавливать низкоомные толстопленочные резисторы на основе RuO2 и стеклосвязующего. Цель - расширение диапазона величин ТКС в отрицательную область, уменьшение его абсолютной величины и снижение величин удельного поверхностного сопротивления - достигается тем, что в стеклосвязующее, содержащее BaO, SiO2, B2O3, Al2O3,...

 Использование: для изготовления толстопленочной межслойной изоляции, совместимой с резисторами на основе соединений рутения. Сущность изобретения: стекло содержит следующие компоненты, мас.%: оксид кремния SiO2 ; оксид алюминия Al2O3 ; оксид кальция БФ CaO 12 - 35; оксид бора B2O3 ; фтор F . Кроме того стекло может содержать оксид кобальта Co2O3 мас.%. Характеристика стекла: сопротивление...

 Использование: изобретение относится к стекловидным материалам, предназначенным для использования в качестве стеклосвязующего в токопроводящих пастах толстопленочной технологии, преимущественно для толстопленочных резисторов. Стеклосвязующее относится к стеклообразующей системе PbO-B2O3-SiO2-Al2O3. Сущность изобретения состоит в том, что в известном стеклосвязуещем для паст толстопленочны...

 Использование: для стеклосвязующих толстопленочных резистивных элементов и может быть использовано в электро-, радиотехнической, электронной и других смежных отраслях промышленности. Сущность изобретения: стекло содержит в мас.%: оксид кремния 8...48 БФ SiO2, оксид марганца 32...61 БФ МnО, оксид бора 4...47 БФ B2O3, оксид меди 1...8 БФ CuO, оксид алюминия 7...21 Al2O3, оксид ванадия 1...8...

 Использование: при изготовлении межслойной изоляции в толстопленочных многоуровневых МДП-структурах, совместимых с прецизионными резисторами на основе соединений рутения. Сущность изобретения: стекло для ситаллоцемента содержит, мас.%: оксид кремния 25,0 - 35,0 БФ SiO2, оксид свинца 10,0 - 20,0 БФ PbO, оксид кальция 1,0 - 10,0 БФ CaO, оксид стронция 1,0 - 10,0 БФ SrO, фтор 1,0 - 5,0 БФ F'...

 Использование: для защиты резистивных элементов в электронной, радиотехнической и других смежных областях промышленности. Сущность изобретения: стекло содержит следующие компоненты, мас.%: оксид свинца 60,1...67,9 БФ PbO, оксид бора 5,0...14,9 БФ B2O3, оксид кремния 3,6...10,0 БФ SiO2, оксид титана 0,5. . . 3,9 БФ TiO2, оксид алюминия 0,5...7,5 БФ Al2O3, оксид цинка 15,1. . . 29,5 БФ ZnO,...

 Использование: для диэлектрической изоляции активных элементов кремниевых интегральных схем и создания структур типа кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Стекло для стеклокристаллического диэлектрика для структур кремний-на-изоляторе содержит в мас.%: оксид кремния 46-59 БФ SiO2, оксид алюминия 20-23 БФ Al2O3, оксид бария 16-28 БФ BaO, оксид...

 Способ изобретения: на изолирующую подложку наносят первый проводниковый слой, поверх него - резистивный слой, а затем - второй проводниковый слой - для образования конденсаторной структуры. Слои сушат и вжигают в воздушной атмосфере. В качестве материала проводниковых слоев используют проводниковую пасту, включающую агент-восстановитель /бор, алюминий/ или вещество, разлагающееся при вжи...

 Использование: изобретение относится к композициям для получения диэлектрических слоев на основе стекол для ситаллоцементов, преимущественно для толстопленочных ГИС, и может применяться в электронной, радиотехнической и других смежных областях промышленности. Применение композиции обеспечивает повышение термостабильности стекловидных диэлектрических слоев при многократных термообработках...

 Использование: изготовление толстопленочных серебросодержащих проводников, совместимых с рутенийсодержащими резисторами при повышении адгезии проводников к подложке из алюмооксидной керамики. Сущность изобретения: проводящая композиция содержит компоненты при следующем соотношении, мас.%: Ag 70 - 76; Pd 15 - 25; Стекловязуюшее 3 - 10; при содержании в стеклосвязующем компонентов, мас.%: P...