PatentDB.ru — поиск по патентным документам

АНДРУЩЕНКО АЛЕКСАНДР ЛЬВОВИЧ

Изобретатель АНДРУЩЕНКО АЛЕКСАНДР ЛЬВОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике

Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике

  Назначение: изобретение относится к области электронной техники. Согласно изобретению образец помещают на держатель , установленный с возможностью поворота его плоскости относительно оптической оси в диапазоне углоо 1-10°, освещают пучком рентгеновского излучения после предварительной обработки поверхности с помощью активатора, возбуждают фотоэффект при фиксированном знач...

1823032

Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике

Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике

  Сущность изобретения: поверхность полупроводника предварительно обрабатывают для снижения работы выхода электрона до величины, соответствующей состоянию поверхности, характеризуемой отрицательной величиной электронного средства. Возбуждают внешний рентгеновский фотоэффект. Определяют зависимость изменения величин фотоэффекта от угла падения рентгеновского пучка, по которой рассчи...

1823033

Способ определения характеристик полупроводника

Способ определения характеристик полупроводника

  Способ определения характеристик полупроводника . Сущность изобретения: обрабатывают поверхность полупроводника для достижения отрицательной величины электронною сродстоа электрона. Возбуждают внешний рентгеновский фотоэффект при фиксированном угле падения рентгеновского пучка. Измеряют величину скачков рентгеновского фотоэффекта на краях рентгеновского поглощения элементов, вход...

1823034

Способ определения физико-химических характеристик полупроводника

Способ определения физико-химических характеристик полупроводника

  Сущность изобретения: о образце, поверхность которого предварительно обработана для снижения работы пыхода электрона, возбуждают внешний ренгтеновский фотоэффект на одном из краев рентгеновского поглощения по крайней мере одного из элементсш, входящих о состав полупроводника . Измеряют зависимость изменения величины скачка рентгеновскогр фотоэффекта от угла падения рентгеновского...

1823035