Колесников Н.Н.

  М» 12?484 Класс 42ц, 2,з 42q, Зо4 42q, 6 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. Б. Симкин, И. Г. Шимко, Н. H. Колесников, Ю. Е. Василенко, Ахмед Казымов, К. Е. Фишман и Г. П. Савин УСТАНОВКА ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ОДНИМ РЕГУЛЯТОРОМ ТЕМПЕРАТУРЫ МНОГИХ ОБЪЕКТОВ Заявлено 2 января 1959 г за № 6!5667/26 в комитет по делам изобретений и открытий...

  Л 130200 Класс 42ч, 2аз 29а, 61в 211т 13Ia ссср, ), Е, 1 (.. и 1, з ОПИСАНИЕ ИЗОБ ЕтЕнил к АВТОРсному свидетельству;!сГ(,сдз,.!; 1.о 5 I (;1,Ц1 1 А. Казымов, И. И. Волков, Г. П. Савин, A. Л. Пржиалковский, Н. Н. Колесников, А. Б. Симкин и В. Л. Форер ПРЯДИЛЪНАЯ ГОЛОВКА ДЛЯ ПРЯДЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКИХ ВОЛОКОН Заяв1.но 17 июня 1960 г. за ¹ 670493/28 в Комитет по делам изобретений...

  № 147043 Класс 42q Зю 21с, 47юз СССР Qlll4CAHHE 8306PETEHI48 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л 178 A. Ь. Симкин, А. Казымов, Н. Н. Колесников, Л. H. Завьялов С. М. Кидун, О. А. Кюздени, 3. М. Гашпар и А. А. Мольков УСТРОЙСТВО ДЛЯ МНОГОТОЧ ЕЧ НОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ Заявлено 19 июля 1960 г. за № 673711/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СС...

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентиров...

  Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники. Сущность изобретения: синтезирован ВТСП формулы Tl1,85Ba2Ca0,02Cu1,15O6 получение которого ведут в воздушной атмосфере, расплавляя шихту, содержащую Tl2O3 СаО, BaO2 и CuO в соотношении 1 1 2 2, разогревая расплав до 980 990°С с последующим о...

  Изобретение относится к способу получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка выращиванием и отжигом кристаллов. Исходный кристалл выращивают из расплава, охлаждают в устройстве для выращивания со скоростью 18-20 град/ч до комнатной температуры. Отжиг кристалла проводят в воздушной атмосфере, разогревая кристалл со скоростью не более 110 град/ч до 300 330°С, выдерживая его при...

 Изобретение предназначено для химической промышленности и электронной техники и может быть использовано при изготовлении аккумуляторов водорода и сверхтонких электронно-лучевых приборов. Между катодом 9 и анодом 7 подают разность потенциалов в атмосфере инертного газа. Катод 9 и анод 7 перемещают навстречу друг другу с получением электрической дуги в зазоре между ними. Перемещение катода...