Способ получения монокристаллов cds и cdse

Способ получения монокристаллов cds и cdse

Реферат

 

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений A^IIB^VI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001 >. Контейнер используют с прямоугольным сечением и располагают затравку на его прямоугольной стороне. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к способам выращивания кристаллов соединений A^IIB^VI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, а именно CdS и CdSe. Цель изобретения уменьшение плотности малоугловых границ и упрощение ориентирования затравки, а также получение монокристаллов в виде пластин. П р и м е р 1. Исходный порошок CdS загружают в цилиндрический графитовый контейнер, в затравочную камеру которого помещена монокристаллическая затравка из сульфида кадмия, ориентированная таким образом, что направление роста перпендикулярно <0001 >. Контейнер устанавливают в камеру устройства для выращивания кристаллов. Камеру вакуумируют, заполняют аргоном таким образом, что давление в рабочем режиме составляет 50 атм, расплавляют загрузку и проводят направленную кристаллизацию со скоростью 7 мм/ч. Получен цилиндрический монокристалл CdS. Данные по плотности малоугловых границ приведены в таблице. П р и м е р 2. Исходный порошок CdSe загружают в графитовый контейнер прямоугольного сечения, в затравочную камеру которого помещена монокристаллическая затравка из селенида кадмия, ориентированная таким образом, что направление роста перпендикулярно <0001 >, а <0001 > перпендикулярно широкой стороне контейнера. Контейнер устанавливают в камеру устройства для выращивания кристаллов. Камеру вакуумируют, заполняют аргоном таким образом, что давление в рабочем режиме составляет 18 атм, расплавляют загрузку и проводят направленную кристаллизацию со скоростью 8 мм/ч. Получают монокристаллическую пластину CdS. Данные по плотности малоугловых границ приведены в таблице. Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет получать монокристаллы CdS и CdSe с плотностью малоугловых границ не более 30 см^-1 при одновременном увеличении выхода монокристаллов, пригодных для дальнейшего использования, до 75 80% и упростить ориентирование затравок. Кроме того, предлагаемый способ позволяет получать монокристаллы в виде пластин.

Формула изобретения

1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000