C30B29/50 - сульфид кадмия — все патенты категории

Патент ссср 174171

О П И С А Н И Е l7417I ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соаетских Социалистических Республик Зависимое от авт, свидетельства № Заявлено 10.Х1.1963 (№ 864930/26-25) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 27Х111.1965. Бюллетень № 17 Дата опубликования описания 8.Х.1965 Государствейный комитет по делам изобретений и открытий СССР МПК В Old Ъ...

174171

Способ выращивания монокристаллов

О П И С А Н И Е 20 94!7 ИЗ ОБРЕ ТЕ Н И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 08.VI I.1966 (№ 1089393/22-1) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 28.Ч.1969, Бюллетень № 18 Дата опубликования описания 17.Х.1969 Кл, 12g, 17/30 МПК В 011 УДК 669-172.002.2 (088.8) Комитет по делам иэобретен...

209417

Способ получения монокристаллов cds и cdse

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентиров...

1279277

Способ получения кристаллов соединений а @ в @

Изобретение относится к способам выращивания кристаллов сульфида кадмия методом направленной кристаллизации, изделия из которых применяются в акустоэлектронике, пьезотехнике оптической и электронной технике, и может быть использовано в химической промышленности при получении кристаллов соединений . Цель изобретения - повышение объемной однородности электрических свойств кристалло...

1624925

Способ получения пленок сульфида кадмия

Использование: полупроводниковая техника, технология оптоэлектронных приборов . Способ включает синтез из волнового раствора, содержащего соль кадмия, аммиак и тиомочевину, и осаждение пленки на подложке сульфида кадмия. На начальном этапе в течение не менее 60 мин процесс ведут в центробежном поле с величиной ускорения 8-10 -1,810 д. Получены пленки сульфида кадмия с пористостью...

1818362

Способ получения кристаллов халькогенидов типа aiibvi использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т

д. Сущность изобретения: исходный халькогенид перед выращиванием обрабатывают в атмосфере дезоксидирующего газа при температуре на 10 - 20°С выше температуры кипения металла данного хальгенида. В качестве дезоксидирующего газа используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом (графитовой крошкой) при 850 - 950°С. Применен...

2031983

Способ получения пленок сульфида кадмия на монокристаллическом кремнии

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С. Согласно изобретению пиролиз аэрозоля проводят в два этапа: на первом в качестве распыляемого раствора используют 0,03 моль/л водный раствор хлорида или нитрида кадмия...

2651212

C30B29/50 - сульфид кадмия

Патенты в этой категории