Способ выращивания монокристаллов
Патент 209417
Классы МПК
Способ выращивания монокристаллов
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 20 94!7
ИЗ ОБРЕ ТЕ Н И Я
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 08.VI I.1966 (№ 1089393/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 28.Ч.1969, Бюллетень № 18
Дата опубликования описания 17.Х.1969
Кл, 12g, 17/30
МПК В 011
УДК 669-172.002.2 (088.8) Комитет по делам иэобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Автор изобретения
Б. М. Булах
Институт полупроводников АН УССР
Заявитель
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
Известен способ выращивания монокристаллов соединений с высокой упругостью пара при температуре плавления, например сульфида кадмия, перекристаллизацией через паровую фазу в герметичной ампуле, вытягиваемой из зоны нагрева, создаваемой печью сопротивления, с вертикальным температурным градиентом.
Особенностью предложенного способа является то, что зону нагрева создают при помощи ванны расплавленного вещества, нагретого у поверхности до более низкой температуры, чем температура конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращивания. Это обеспечивает более стабильные и благоприятные условия кристаллизации, следовательно, повышение скорости выращивания.
Сущность изобретения поясняется чертежом.
Ампулу 1 с исходным материалом погружают полностью в расплавленное вещество 2, нагреваемое печью 3 сопротивления. В расплаве создают вертикальный температурный градиент с температурой расплава у поверхности ниже температуры конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращивания, регулируя взаимное расположение ванны с расплавом и печи 8 и интенсивность перемешивания расплава. Для компенсации тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.
В расплаве ампула находится в течение времени, необходимого для спекания и уплот5 нения загрузки. Затем ее начинают вытягивать вверх со скоростью роста монокристалла. Монокристалл начинает расти в верхней части ампулы, расположенной в зоне более низкой температуры. При выращивании по описывае10 мой схеме возможно образование небольшого температурного градиента между зонами роста и испарения и крутого градиента за зоной кристаллизации у поверхности расплава. Влияние растущего кристалла на условия кристал15 лизации благодаря этому значительно уменьшается. Достижение более стабильных условий кристаллизации дает возмохкность повысить скорость выращивания монокристаллов сульфида кадмия до 1,5,тсм/час.
Предмет изобретения
Способ выращивания монокристаллов соединений, например сульфида кадмия, перекристаллизацией через паровую фазу в герметич25 ной ампуле, вытягиваемой со скоростью роста монокристалла из зоны нагрева с вертикальным температурным градиентом, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости выращивания, зону нагрева создают при помо30 щи ванны расплавленного вещества, нагретого
209417
Составитель Т. Фирсова
Техред Т. П. Курилко
Редактор И. Грузова
Корректор С. М. Сигал
Заказ 2581/2 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 у поверхности до температуры, меньшеи температуры конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращивания.