C30B11/14 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

Способ получения монокристаллов cds и cdse

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентиров...

1279277

Способ получения ориентированных монокристаллических заготовок из сплавов с перитектическим превращением

Изобретение относится к области литейного производства, преимущественно к технологии получения монокристаллических отливок для изделий из сплавов с перитектическим прекращением. Сущность изобретения заключается в том, что для получения ориентированных монокристаллов из сплавов с перетектическим превращением используют монокристаллическую заготовку из состава сплава твердого раствора, перв...

2084561

Способ выращивания тугоплавких монокристаллов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к неорганической химии и кристаллографии, а именно к выращиванию крупногабаритных тугоплавких монокристаллов. Способ осуществляют с затравлением в неподвижно установленном контейнере путем нагрева исходного сырья и его проплавления с последующими кристаллизацией и остыванием. Затравление монокристалла осуществляют путем касания затравки расплава и соединения с ним за счет кап...

2256011

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов горизонтальной направленной кристаллизацией включает создание в вакуумной камере с помощью нагревательных устройств температурного поля, расплавление в это...

2320789

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры. Способ включает кристаллизацию расплава в тигле на затравочный кристалл, расположенный в нижней части тигля и имеющи...

2327824

Способ изготовления монокристаллических зародышей одновременно с литьем монокристаллических деталей

Изобретение относится к области изготовления деталей, имеющих направленную кристаллографическую ориентацию. Способ изготовления, по меньшей мере, одного монокристаллического зародыша, пригодного для использования в качестве затравки при изготовлении монокристаллического направляющего соплового аппарата высокого давления турбомашины с, по меньшей мере, одной лопаткой между двумя площадками путем л...

2422564

Способы и аппаратура для производства монокристаллического литого кремния и изделий из монокристаллического литого кремния для фотоэлементов

Изобретение относится к технологии производства литого кремния: моно- или поликристаллического, используемого в фотоэлектрических элементах и других полупроводниковых устройствах. Один из вариантов раскрыт в способе получения литого кремния, включающем приведение расплавленного кремния в контакт по меньшей мере с одним затравочным кристаллом кремния в сосуде, имеющем одну или несколько боковых ст...

2425183

Устройство для выращивания монокристаллических труб и способ их получения

Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы. Устройство включает тигель, состоящий из соосно расположенных, выполненных из молибдена нар...

2531823

Способ крепления затравки при выращивании монокристаллов методом направленной кристаллизации из расплава в горизонтальном стеклянном вакуумированном контейнере

Изобретение относится к методам крепления затравки при получении монокристаллов полупроводниковых и металлических материалов из расплава. Для крепления затравки в горизонтальном стеклянном вакуумированном контейнере проводят расплавление большей части затравки со стороны, противоположной месту затравливания, и расплав кристаллизуют в контакте со стенками контейнера. За счет повышения надеж...

2552463

C30B11/14 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

Патенты в этой категории