Мочалов Леонид Александрович (RU)
Изобретатель Мочалов Леонид Александрович (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения изотопно-обогащенного германия
Изобретение относится к технологии получения изотопно-обогащенного германия и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов, детекторов ядерно-физических превращений, в медико-биологических исследованиях материалов. Способ включает плазмохимическое разложение соответствующего изотопно-обогащенного тетрафторида германия в смеси с водородом в неравновесной плазме ВЧ разряда и...
2483130Способ получения высокочистых халькойодидных стекол
Изобретение относится к химии, а именно к производству высокочистых стекол, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводников, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах ближнего и среднего ИК-диапазона. Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения высокочистых халькойодид...
2579096Плазмохимический способ получения халькогенидных стекол системы as-s и устройство для его реализации
Изобретение относится к производству высокочистых халькогенидных стекол для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводниковых устройств. Изобретение позволяет исключить загрязнение получаемого халькогенидного стекла за счет неполного разложения исходных веществ, а также уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры. Способ получения халькогенидн...
2585479Способ получения наноразмерных структур молибдена
Изобретение относится к получению нанодисперсного порошка молибдена. Способ включает восстановление гексафторида молибдена водородом в реакторе под воздействием сверхвысокочастотного разряда. Реактор заполняют газовой смесью, состоящей из гексафторида молибдена и водорода, мольная доля которого составляет не менее трех четвертей от общего объема газовой смеси, и герметизируют. В качестве сверхвысо...
2610583Способ вакуумной очистки теллура от углеродсодержащих наноразмерных гетеровключений
Изобретение относится к плазмохимии. Может быть использовано при производстве полупроводниковых и оптических элементов для микроэлектроники, оптики и нанофотоники. Исходный теллур нагревают до температуры 600-680°С с получением газообразной фазы теллура. Взаимодействуют с помощью высокочастотного плазменного разряда в условиях неравновесной плазмы углеродсодержащие гетеровключения газообразной фаз...
2644213