PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Гвоздев Владимир Александрович (RU)

Изобретатель Гвоздев Владимир Александрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления усовершенствованной многоуровневой медной металлизации с применением диэлектриков с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k)

Способ изготовления усовершенствованной многоуровневой медной металлизации с применением диэлектриков с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k)

Изобретение относится к микроэлектронике. Проблемы медной металлизации при уменьшении нормы проектирования: высокая дефектность структуры медных проводников и электромиграция по границе меди с окружающими диэлектриками; быстрое повышение удельного сопротивления при уменьшении ширины проводников; значительное повышение внутриуровневой емкости предлагается решить в способе изготовления усовершенст...

2486632

Электролит и способ осаждения меди на тонкий проводящий подслой на поверхности кремниевых пластин

Электролит и способ осаждения меди на тонкий проводящий подслой на поверхности кремниевых пластин

Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин. Электроосаждение меди проводят из электролита меднения, содержащего сульфат меди, спирт этиловый, этилендиамминтетрауксу...

2510631

Способ формирования многоуровневых медных межсоединений интегральных микросхем с использованием вольфрамовой жесткой маски

Способ формирования многоуровневых медных межсоединений интегральных микросхем с использованием вольфрамовой жесткой маски

Изобретение относится к технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) в части формирования многоуровневых металлических соединений. Способ формирования многоуровневых медных межсоединений СБИС по процессу двойного Дамасцена через двухслойную жесткую маску включает нанесение слоя изолирующего диэлектрика на пластину, в теле которого будут формироваться проводники многоуровневой ме...

2523064

Способ изготовления многоуровневой медной металлизации с ультранизким значением диэлектрической постоянной внутриуровневой изоляции

Способ изготовления многоуровневой медной металлизации с ультранизким значением диэлектрической постоянной внутриуровневой изоляции

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС многократным повторением процессов изготовления типовых структур, состоящих из медных горизонтальных и вертикальных проводников и окружающих их диэлектрических слоев с низким значением эффективной диэлектрической пост...

2548523

Способ формирования системы многоуровневой металлизации на основе вольфрама для высокотемпературных интегральных микросхем

Способ формирования системы многоуровневой металлизации на основе вольфрама для высокотемпературных интегральных микросхем

Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических слоев, фотолитографию и травление канавок в этих слоях, нанесение барьерного и зародышевого слоев, нанесение с...

2611098