Беляева А.А.

 Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и...

 Изобретение относится к области нефтедобывающей промышленности, в частности к способам разработки залежей тяжелых нефтей и битумов и может быть использовано при добыче вязких нефтей и битумов тепловым воздействием на пласт. Обеспечивает повышение эффективности вытеснения нефти при сниженных энергетических затратах. Сущность изобретения: по способу осуществляют добычу вязкой нефти или биту...

 Изобретение относится к нефтедобывающей промышленности, в частности, к разработке месторождений высоковязких и тяжелых нефтей термическими методами в сочетании с различными добавками, например поверхностно-активными веществами. Обеспечивает повышение эффективности нефтеотдачи пласта при разработке месторождений вязкой и тяжелой нефти. Сущность изобретения: способ включает последовательную...