Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов

Реферат

Способ создания кремниевых n-n⁺-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n⁺-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250^oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n⁺-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n⁺-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.