Потапчук В.А.

 Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей...

 Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охв...

 Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и...

 Сущность изобретения: прибор снабжен изолирующим дисковым элементом с односторонней металлизацией и радиальным пазом, на котором закреплены навесные активные и пассивные элементы. 4 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к деталям и конструктивным элементам таких полупро- водниковых приборов, как транзисторы, тиристоры, симисторы, и может быть использовано в разли...

 Использование: в полупроводниковых приборах, а именно в полупроводниковых модулях, которые используют в системах управления электродвигателями промышленного и бытового назначения и в различных системах питания радиотехнических изделий. Сущность: полупроводниковый модуль включает заполненный герметиком на основе смолы корпус, содержащий крышку и основание в виде металлического фланца в фор...