Способ создания силовых высоковольтных транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов

Реферат

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n⁺-p-n-n⁺-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n⁺-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.