Изидинов С.О.

 Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей...

 Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов, включающий нанесение на них защитного компаунда, содержащего кремнийорганический винилсодержащий каучук, олигометилгидридсилоксан, наполнитель и в качестве катализатора 1%-ный раствор платинохлористоводородной кислоты, и проведение термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и высоковольтных приборов...

 1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, сумм...

 Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования ND 1014 см-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности то...

 Способ определения степени пористости слоев пористого кремния, заключающийся в стравливании слоев пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности, проводят локальное травление путем нанесения на поверхность пористого слоя капли 4 - 40%-ного раствора NaOH или КОН с последующей выдержкой в течение 2 - 20 мин, измерением глубины области травления...

 Использование: технология изготовления кремниевых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: при обработке кремниевых изделий в травителе, состоящем из смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот с объемным соотношением 1 : (6 - 17) : (1 - 3), наблюдается самопрекращение травления из-за накопления продуктов восстановления азотной кислоты. При этом убыль быстрорасходуемых компонен...

 Использование: технология изготовления кремниевых дискретных приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: тотальное или локальное травление кремниевых изделий осуществляют в смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот, взятых в соотношенииобъемов 1:(6-17):1-3. В травителях из указанного диапазона составов наблюдается самопрекращение травления или растворение небольшого количества к...

 Использование: изобретение относится к аналитическому контролю жидкофазных материалов, в частности к количественному и качественному анализу элементного состава примесей в жидких органических и неорганических веществах, используемых в технологии силовых полупроводниковых приборов и электромеханических изделий. Сущность изобретения: проводят осаждение примеси на твердую подложку из раствор...

 Использование: отбор проб аэрозольных частиц фильтрацией, контроль состояния воздушной (газовой) среды технологических помещений, камер, боксов и т. п. Сущность: устройство включает систему аспирации воздуха, регулятор расхода прокаливаемого объема воздуха, пробоотборник с держателями и фильтрами и ресивер, соединенный входом с пробоотборником, а выходом - с системой аспирации. Пробоотбор...