Способ изготовления полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Реферат

 

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, суммарная площадь которых составляет 15-50% площади контактной поверхности.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поры формируют анодным электрохимическим травлением кремниевой структуры.