Мишанин В.Е.

 1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, сумм...

 Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработк...

 Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%: Вольфрам или - 0,1 - 6 Молибден - 0,1...

 Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуще...

 Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.