Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором

Реферат

 

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуществляют предварительную термообработку заполненной кассеты при 500 - 560oC и давлении 1 - 9 Н/мм2.