ЛАНГ Томас (CH)

 Использование: в силовой электронике. Силовой полупроводниковый модуль содержит в корпусе подложку, по меньшей мере, две полупроводниковые микросхемы с двумя электродами каждая и по одному контактному поршню. Первые основные электроды находятся в электрическом контакте с подложкой, а вторые основные электроды - с контактным поршнем. Между первым основным электродом и подложкой и/или между...

 Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность: по меньшей мере один контактируемый с приложением давления полупроводниковый кристалл (4) электрически соединен через контактный элемент (8) с одним главным вводом (30). Контактный элемент (8) имеет две плоские контактные поверхности (81, 82), между которыми находится пружинный элемент (7). Независимо от положения и высоты отд...

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом модуле, содержащем, по меньшей мере, две электропроводные пластины основания, множество полупроводниковых микросхем и корпус модуля, состоящий из электропроводной крышки и жестких элементов корпуса модуля, полупроводниковые микросхемы электрически соединены с помощью первых основн...