PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кудрова Татьяна Сергеевна (RU)

Изобретатель Кудрова Татьяна Сергеевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозны...

2521222

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлиз...

2536771

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик. Достигается тем, что способом изготовления мощной гибридной интегральной с...

2537695

Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора свч

Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и пр...

2541725