PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Самардак Александр Сергеевич (RU)

Изобретатель Самардак Александр Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек

Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам создания эпитаксиальных медных структур на поверхности полупроводниковых подложек и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек включает формирование моноатомного слоя силицида меди Cu2Si на предварительно...

2522844

Магнитный элемент и способ контроля параметров магнитного вихря в ферромагнитных дисках

Магнитный элемент и способ контроля параметров магнитного вихря в ферромагнитных дисках

Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов. Сущность изобретения: на подложке из кремния форм...

2528124

Способ формирования полимерных шаблонов наноструктур разной геометрии

Способ формирования полимерных шаблонов наноструктур разной геометрии

Использование: для формирования наноразмерных полимерных шаблонов с контролируемыми геометрическими параметрами в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования полимерных шаблонов наноструктур разной геометрии, включает формирование цифрового шаблона наноструктур, перенос этого шаблона на поверхность позитивного резиста, нанесенного на подложку, прояв...

2574527

Способ формирования упорядоченных структур на поверхности полупроводниковых подложек

Способ формирования упорядоченных структур на поверхности полупроводниковых подложек

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способу создания упорядоченной ступенчатой поверхности Si(111)7×7, покрытой эпитаксиальным слоем силицида меди Cu2Si, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов, например сенсоров газов или молекул. Сущность изобретения: способ формирования упорядоченных ступеней на поверхности полупроводниковых подложек в...

2593633

Способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности полупроводниковых подложек с буферным слоем меди

Способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности полупроводниковых подложек с буферным слоем меди

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок включает формирование упорядоченной ступенчатой структуры силицида меди Cu2Si в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно подготовленной поверхности вицинально...

2624836


Способ формирования массива нанопроволок на ступенчатой поверхности cu2si

Способ формирования массива нанопроволок на ступенчатой поверхности cu2si

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно сформированной ступенчатой поверхности силицида меди формируют ровные монокристаллические нанопроволоки заданной ширины осаждением металла под малыми углами наклона в инте...

2628220