Стоянов Андрей Анатольевич (RU)

Изобретение может быть использовано для приварки металлических выводов при производстве силовых полупроводниковых приборов. На V-образный электрод подают импульс тока с приложением начального давления и подачей ультразвуковых колебаний вдоль оси привариваемого вывода. Прикладывают добавочное давление с уменьшением амплитуды ультразвуковых колебаний до нуля. В момент приложения добавочного давлен...

Изобретение относится к области электроники и предназначено для отвода тепла от ИС, СБИС, силовых модулей, блоков радиоэлектронной аппаратуры и т.п. Технический результат - повышение теплоотвода от кристалла к корпусу; упрощение технологии сборки с использованием теплоотводов на основе эффекта Пельтье. Достигается тем, что в устройстве охлаждения ИС, основанном на использовании эффекта Пельтье,...

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу производства полупроводниковых изделий, предусматривающего монтаж кристаллов к корпусам, для осуществления которого используется напыление металлического покрытия на обратную поверхность кристаллов в составе подложки. Сущность изобретения: способ уменьшения остаточных термомеханических напряжений на границе подложка - металличе...

Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления трехмерных интегральных схем 3D БИС. Сущность изобретения: способ сборки трехмерных интегральных схем 3D БИС включает операции монтажа кристаллов друг на друга с последующим соединением каждого кристалла с корпусом с использованием выводов. Монтаж кристаллов последовательно осуществляют друг с другом, при этом соединен...

Использование: для сборки трехмерных интегральных схем (ИС) 3D БИС. Сущность изобретения заключается в том, что способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов включает сборку, на которую поступают кристаллы с контактными столбиками и подложки с металлизацией на контактных площадках из припоя заданной толщины, между кристаллом и подложкой размещают клейкую ленту, имеющую отверстия, рисунок ко...