PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Еремчук Анатолий Иванович (RU)

Изобретатель Еремчук Анатолий Иванович (RU) является автором следующих патентов:

Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости

Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости

Изобретение относится к микрокриогенной технике. Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости заключается в том, что к установке заполнения микрокриогенной системы хладагентом подсоединяют микрокриогенную систему, проводят подготовку микрокриогенной системы к заполнению, заполняют микрокриогенную систему технологической дозой хлада...

2525819

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом, дополнительно содержащим в качестве комплексообразователя винную кислоту, в качестве смазывающей добавки этиленгли...

2545295

Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель

Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель

Использование: для создания многоэлементных фотоприемников. Сущность изобретения заключается в том, что способ сборки матричного модуля на держатель содержит стадии нанесения криостойкого клея на тыльную поверхность растра матричного модуля и на держатель, ориентации матричного модуля относительно держателя, прижима матричного модуля к держателю, приклеивают матричный модуль на держатель с помощ...

2581439

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС мультиплексором утоньшают от 500 мкм до 20-40 мкм с помощью ХМП, включающего обработку пластины МФЧЭ вращающим...

2633656