PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Смирнов Дмитрий Валентинович (RU)

Изобретатель Смирнов Дмитрий Валентинович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур InGaAs/InP на поверхность р+-In 0,53 Ga 0,47 As осуществляют путем нанесения фотолитографическим способо...

2530458

Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan

Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN. Изготовление осуществляют по меза-технологии ионным травлением до слоя n+ -AlGaN, затем поверхность меза...

2536110

Способ изготовления индиевых микроконтактов

Способ изготовления индиевых микроконтактов

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Способ изготовления индиевых микроконтактов согласно изобретению включает напыление слоя индия на полупроводниковые пластины с контактными площадками, формирование плоских индиевых площадок толщиной напыленн...

2571436

Способ травления меза-элементов на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/alxga1-xn

Способ травления меза-элементов на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/alxga1-xn

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Изобретение может быть использовано в производстве матричных фоточувствительных элементов приборов гражданского и военного назначения. Сущность изобретения состоит в том, что травление гетероэпитаксиальных структур GaN/AlxGa1-xN после прим...

2574376