Смирнов Дмитрий Валентинович (RU)
Изобретатель Смирнов Дмитрий Валентинович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp](/img/empty.gif)
Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp
Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур InGaAs/InP на поверхность р+-In 0,53 Ga 0,47 As осуществляют путем нанесения фотолитографическим способо...
2530458![Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan](https://img.patentdb.ru/i/200x200/18c96907f0a1ab262698e7eea5673b17.jpg)
Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan
Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN. Изготовление осуществляют по меза-технологии ионным травлением до слоя n+ -AlGaN, затем поверхность меза...
2536110![Способ изготовления индиевых микроконтактов Способ изготовления индиевых микроконтактов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6f4f6f69e21b099dca733eea934a51ee.jpg)
Способ изготовления индиевых микроконтактов
Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Способ изготовления индиевых микроконтактов согласно изобретению включает напыление слоя индия на полупроводниковые пластины с контактными площадками, формирование плоских индиевых площадок толщиной напыленн...
2571436![Способ травления меза-элементов на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/alxga1-xn Способ травления меза-элементов на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/alxga1-xn](https://img.patentdb.ru/i/200x200/20efc77d4fd4b422c63afa87c0f88f00.jpg)
Способ травления меза-элементов на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/alxga1-xn
Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Изобретение может быть использовано в производстве матричных фоточувствительных элементов приборов гражданского и военного назначения. Сущность изобретения состоит в том, что травление гетероэпитаксиальных структур GaN/AlxGa1-xN после прим...
2574376