PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Горшков Олег Николаевич (RU)

Изобретатель Горшков Олег Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота

Способ контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота

Изобретение относится к области прецизионной наноэлектроники. Способ контролируемого роста квантовых точек (КТ) из коллоидного золота в системе совмещенного АСМ/СТМ заключается в выращивании КТ при отрицательном приложенном напряжении между иглой кантилевера совмещенного АСМ/СТМ и проводящей подложкой, причем в процессе роста КТ периодически переключают полярность внешнего напряжения с отрицател...

2533533

Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки

Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки, включает измерение вольт-амперных...

2585963

Способ изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения

Способ изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения

Изобретение относится к технологии изготовления резистных масок в производстве микросхем, в частности изготовления резистных масок с расширенным диапазоном разрешения изображений. Технический результат изобретения - разработка способа изготовления резистной маски позитивного типа с расширенным диапазоном разрешения изображения. Для достижения указанного технического результата в способе изготовлен...

2610782

Способ взрывной фотолитографии

Способ взрывной фотолитографии

Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала. Предложен способ взрывн...

2610843