Петров Александр Геннадьевич (RU)
Изобретатель Петров Александр Геннадьевич (RU) является автором следующих патентов:
![Способ формирования yba2cu3o7-x-х пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое Способ формирования yba2cu3o7-x-х пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое](https://img.patentdb.ru/i/200x200/12caca7fc567a9e9365a2e939666121d.jpg)
Способ формирования yba2cu3o7-x-х пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления сверхпроводящих пленок. Изобретение обеспечивает получение на золотом буферном подслое сверхпроводящих пленок с высокими токонесущими свойствами, обеспечивающими значения плотности сверхпроводящего критического тока не ниже 105 А/см2. В способе формирования YBa2Cu3O7-x пленок с высокой токонесущей способностью на золотом б...
2538931![Способ формирования контактных площадок к yba2cu3o7-x пленкам Способ формирования контактных площадок к yba2cu3o7-x пленкам](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4b55f04ec8bfb621fa9f5901e9f862ae.jpg)
Способ формирования контактных площадок к yba2cu3o7-x пленкам
Изобретение относится к формированию на диэлектрических подложках золотых контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х. Изобретение обеспечивает получение качественных золотых контактных площадок к сверхпроводящим пленкам. В способе формирования на диэлектрической подложке контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х контактные площадки формируют перед напылением пленок YBa2Cu3O7-х на диэлектрической...
2538932![Способ одновременного формирования на двухсторонних диэлектрических подложках тонких пленок yba2cu3o7-x Способ одновременного формирования на двухсторонних диэлектрических подложках тонких пленок yba2cu3o7-x](/img/empty.gif)
Способ одновременного формирования на двухсторонних диэлектрических подложках тонких пленок yba2cu3o7-x
Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящих пленок с двух сторон диэлектрических подложек. Изобретение обеспечивает создание однородных по толщине сверхпроводящих пленок с двух сторон подложки в одном технологическом цикле. В способе формирования сверхпроводящих пленочных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции вращение подложки осуществляют...
2539749![Способ формирования сверхпроводящей ультратонкой пленки yba2cu3o7-x на диэлектрических подложках Способ формирования сверхпроводящей ультратонкой пленки yba2cu3o7-x на диэлектрических подложках](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e5fca3a63238b2a8092225dc02db0d43.jpg)
Способ формирования сверхпроводящей ультратонкой пленки yba2cu3o7-x на диэлектрических подложках
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления сверхпроводящих ультратонких пленок сложного металлооксидного соединения состава YBa2Cu3O7-x путем оптимизации параметров лазерного излучения и условий постростового отжига в напылительной камере. Изобретение обеспечивает получение ультратонких сверхпроводящих пленок толщиной 12-25 нм с неровностью поверхности в пределах 1...
2539911![Способ индикации состояния воды Способ индикации состояния воды](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8a89583c118d2fba3e0c9ba8d3464fa8.jpg)
Способ индикации состояния воды
Изобретение относится к исследованию и анализу материалов и может быть использовано для определения структурного состояния талой воды в разное время после таяния. Представлен способ индикации структурного состояния воды, в котором определяют потенциал стеклоуглеродного электрода, погруженного в исходную воду, затем определяют потенциал электрода, погруженного в талую воду, за время релаксации та...
2555774